RCA-1 및 RCA-2 세정액: 반도체 공장용 실리콘 웨이퍼 표준 세정 공정

RCA-1 및 RCA-2 세정액: 반도체 공장용 실리콘 웨이퍼 표준 세정 공정

RCA 세정 공정은 1965년 RCA Laboratories에서 Werner Kern(1933–2017)이 개발했으며, SC-1과 SC-2의 두 단계로 구성됩니다. 이 공정은 산화, 확산, CVD 공정 전 필수 전처리 단계입니다. SEMI(국제반도체장비재료협회)가 RCA 세정을 반도체 제조의 업계 표준으로 인정했습니다.

SC-1(NH₄OH/H₂O₂/H₂O = 1:1:5, 75–80°C, 10분): H₂O₂가 유기물을 산화하고 NH₄OH가 산화 생성물을 용해합니다. 알칼리 pH에서 웨이퍼 표면과 입자가 모두 음전하를 띠어 정전기 반발력으로 입자가 제거됩니다. 유기물 및 입자 제거율 >90%. SC-1 후 약 1nm의 산화막이 형성됩니다.

SC-2(HCl/H₂O₂/H₂O = 1:1:6, 75–80°C, 10분): HCl의 Cl⁻ 이온이 금속 이온(Al³⁺, Fe³⁺, Na⁺, Ca²⁺, Cu²⁺, Zn²⁺)과 가용성 염화물 착물을 형성하여 제거합니다. H₂O₂는 저가 금속을 고가로 산화하여 용해를 촉진합니다. 금속 잔류물 <10¹⁰ atoms/cm². SC-2 후 보호용 산화막이 형성되어 재오염을 방지합니다.

선택적 단계: HF 침지(HF 1:100, 25°C, 15–30초)로 약 1nm 산화막 및 포획된 불순물 제거.

Lộc Thiên은 베트남 FDI 반도체 공장(북닌, 동나이)에 전자급 화학품을 공급합니다. COA 및 ICP-MS 분석 제공. 전화 0979 891 929。