RCA-1和RCA-2清洗液：半导体厂硅片标准清洗工艺

RCA-1和RCA-2清洗液：半导体厂硅片标准清洗工艺

RCA清洗工艺由Werner Kern于1965年在RCA Laboratories开发，是半导体制造中硅片清洗的标准流程。SC-1（NH₄OH/H₂O₂/H₂O = 1:1:5，75–80°C，10分钟）通过氧化和静电排斥去除有机物和颗粒，去除率>90%。SC-2（HCl/H₂O₂/H₂O = 1:1:6，75–80°C，10分钟）通过形成可溶性氯化物络合物去除金属离子（Al、Fe、Na、Ca、Cu、Zn），将金属残留降至<10¹⁰ atoms/cm²。

SC-1机理

H₂O₂分解产生羟基自由基氧化有机物，NH₄OH（pH ~10.5）溶解氧化产物。在碱性pH下硅片表面和颗粒均带负电，静电排斥力将颗粒推离表面。处理后形成约1nm氧化层。

SC-2机理

HCl的Cl⁻离子与金属离子形成可溶性络合物（AlCl₃、FeCl₃、CuCl₂），H₂O₂将低价金属氧化为高价态促进溶解。处理后形成钝化氧化层防止再污染。

可选步骤：HF浸渍

HF 1:100或1:50，25°C，15–30秒，去除约1nm氧化层及截留的杂质。

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